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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
62
70
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
70
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2519
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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