RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
62
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2183
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link