RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
62
66
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
66
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
1699
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link