RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
62
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
46
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2571
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link