RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
62
Autour de -170% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2619
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link