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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2706
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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