RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
3392
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link