RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
51
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
51
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2387
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lenovo 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link