RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2601
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link