RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2585
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link