RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2585
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
UMAX Technology 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link