RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
3211
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link