RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
57
Autour de 53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
57
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2253
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link