RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
3040
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link