RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
86
Autour de 69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
86
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
1658
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link