RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
56
Autour de 52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
56
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2761
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link