RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2581
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link