RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
64
Autour de 58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
64
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
1948
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link