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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
37
Vitesse de lecture, GB/s
15.7
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2713
2422
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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