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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
35
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
22
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
3256
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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