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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
52
Autour de 33% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17500
Autour de 1.1% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
52
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17500
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2124
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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