RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
34
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
24
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
2923
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link