RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
35
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
3489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link