RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
56
Autour de 39% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
56
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
2138
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link