RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
2558
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link