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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
34
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
3208
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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