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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
28
42
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
1997
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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