RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
3751
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link