RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lenovo 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Lenovo 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Lenovo 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
50
Autour de 44% latence réduite
Raisons de considérer
Lenovo 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lenovo 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
50
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
2951
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Lenovo 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Lenovo 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link