RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Note globale
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2177
2933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link