RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Note globale
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2177
2538
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link