RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2858
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link