RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link