RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3843
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link