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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Raisons de considérer
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
27700
12800
Autour de 2.16 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
27700
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3542
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RAM 2
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