RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2280
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link