RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
41
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
8.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link