RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
41
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
8.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link