RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link