RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2657
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link