RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2317
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link