Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.8 left arrow 11.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    15.6 left arrow 8.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 14200
    Autour de 1.8 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    30 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.2 left arrow 16.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.7 left arrow 15.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    14200 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2458 left arrow 3423
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons