RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
62
Autour de -170% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
23
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
2867
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link