RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
62
Autour de -114% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
29
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3049
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link