RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
62
70
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
70
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
1934
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link