RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
62
Autour de -107% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
30
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
2147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link