RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
62
Autour de -107% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
30
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3086
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link