RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
62
Autour de -72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
36
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
2320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link