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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
62
63
Autour de 2% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
63
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
1932
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
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Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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