RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Note globale
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1668
2867
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link