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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1444
2108
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
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Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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