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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB vs Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
34
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
32
Vitesse de lecture, GB/s
8.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1847
3405
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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